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芯片上“長”出原子級薄晶體管，可大幅提高集成電路密度

2023-05-04 07:22:44  |  來源:云財經  |    


【資料圖】

美國麻省理工學院一個跨學科團隊開發出一種低溫生長工藝，可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維(2D)過渡金屬二硫化物(TMD)材料層，以實現更密集的集成。這項技術可能會讓芯片密度更高、功能更強大。相關論文發表在最新一期《自然·納米技術》雜志上。這項技術繞過了之前與高溫和材料傳輸缺陷相關的問題，縮短了生長時間，并允許在較大的8英寸晶圓上形成均勻的層，這使其成為商業應用的理想選擇。(科技日報)

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